O Projeto GaN-HighPower, formado por instituições de pesquisa e empresas alemãs e coordenado pela Instituto Fraunhofer, está desenvolvendo e testando novos hardwares e softwares para inversores de alto desempenho para aplicações fotovoltaicas.
Com financiamento de cerca de R$ 22 milhões do Ministério Federal de Economia e Proteção Climática da Alemanha, o projeto tem como objetivo desenvolver soluções técnicas que permitam que os sistemas fotovoltaicos contribuam ativamente para a estabilização da rede. Para tanto, o Instituto Fraunhofer examina componentes recém-desenvolvidos e trabalha para tornar a operação deles a mais eficiente possível.
Com participação da alemã SMA Solar Technology AG, empresa de fornecimento de soluções fotovoltaicas, o projeto explora ainda a crescente necessidade da indústria na descoberta de novas tecnologias. O uso do Nitreto de Gálio (GaN) ainda está limitado a faixas de potência relativamente baixas, “e o próximo passo é explorar o potencial de saídas superiores a 100 kW, que são significativamente maiores do que a atual gama de aplicações”, explicou Klaus Rigbers, chefe de tecnologias de inversores e responsável pela eletrônica de potência no Centro de Inovação da SMA.
A companhia informou que os inversores de hoje nesta classe de potência já têm eficiências de 98 a 99 por cento, mas cada pequena melhoria na eficiência também traz vantagens de custo: As unidades de resfriamento do inversor podem ser projetadas de forma mais compacta e requerem menos energia de resfriamento. A SMA já está usando com sucesso semicondutores GaN em faixas de potência de alguns quilowatts.
